| |
Memristor – čtvrtá pasivní elektronická součástka
Petr Kulhánek
Na základní škole jsme se učili o třech
elektronických součástkách – odporu, kondenzátoru a cívce. Možná jim
učitelé dávali vznešenější názvy (rezistor, kapacitor a induktor), ale
to na věci nic nemění. Již v 70. letech bylo zřejmé, že by logicky měla
tento trojúhelník doplňovat i součástka čtvrtá, tzv. paměťový odpor
neboli memristor. V roce 2008 se poslední střípek do součástkové
skládanky podařilo objevit v laboratořích společnosti Hewlett Packard.
Situace mi poněkud připomíná objev
pozitronuPozitron – antičástice k elektronu. Teoreticky existenci pozitronu předpověděl Paul Dirac v roce 1928. Experimentálně ho objevil v kosmickém záření Carl Anderson v roce 1932., jehož existenci
předpověděl P. A. M. Dirac v roce 1928 a v roce 1932
ho objevil C. Anderson na fotografiích stop sekundárních částic
kosmického zářeníKosmické záření – proud urychlených částic neznámého původu. Při interakci s atmosférou vzniká sprška milionů i miliard částic. Nejenergetičtější částice kosmického záření, které se dosud podařilo detekovat, mají energie až 1020 eV. Sprška z takové částice zasáhne na zemském povrchu mnoho desítek km2. Tak energetická částice se objeví přibližně jednou za sto let. Kosmické záření je majoritním zdrojem antihmoty na naší planetě. Může vznikat v supernovách, pulzarech, aktivních galaktických jádrech, atd. Naprostá většina částic kosmického záření, okolo 88 %, jsou protony, přibližně 10 % jsou jádra hélia (alfa záření), 1 % elektrony a pozitrony a 1 % těžké prvky. Kosmické záření má naprosto nejširší spektrum energií ze všech dodnes známých jevů. Mnohé částice, které se dnes vědci pokoušejí nalézt v moderních urychlovačích, se mohou nacházet právě v kosmickém záření. Kosmické záření bylo objeveno v roce 1912 rakouským fyzikem Viktorem Hessem při balónových experimentech ve výšce až 5 500 metrů. S rostoucí výškou stoupala ionizace atmosféry a tím byl prokázán kosmický původ záření. Za objev získal V. Hess v roce 1936 Nobelovu cenu za fyziku. v mlžné komoře. Stopa pozitronu byla v magnetickém poli zakřivena na opačnou stranu než stopa obyčejného
elektronuElektron – první objevená elementární částice. Je stabilní. Hmotnost má 9,1×10−31 kg a elektrický náboj 1,6×10−19 C. Elektron objevil sir Joseph John Thomson v roce 1897. Existenci antičástice k elektronu (pozitron) teoreticky předpověděl P. Dirac v roce 1928 a objevil C. Anderson v roce 1932.. Zanedlouho po objevu se ukázalo, že na fotografiích z mnoha
jiných pracovišť byly takové stopy fotografovány již dlouho, jen
nikoho nenapadlo, že nejde o elektron, ale o jeho antičástici. Štěstí zkrátka přeje jen
připraveným. Voltampérové charakteristiky odpovídající memristoru byly
měřeny u různých nanovrstev již od 60. let, nicméně byly vysvětlovány
různým komplikovaným náhradním zapojením jiných součástek. Teprve po
ohlášení objevu memristoru vědci v řadě laboratoří zjistili, že
memristorové chování pozorovali již dávno na nejrůznějších systémech.
Pojďme se s objevem memristoru seznámit podrobněji.

|
Elektrický náboj – základní kvantový náboj elektromagnetické interakce. Elektrický náboj označujeme Q, jednotkou je coulomb (C). Nejmenším volným nábojem je náboj elektronu (1,6×10−19 C), jde o tzv. elementární náboj.
Elektrický proud – elektrický náboj proteklý daným místem za jednotku času, I = dQ/dt. Elektrický proud označujeme I, jednotkou je ampér (A = C/s).
Elektrické napětí – rozdíl elektrického potenciálu mezi dvěma místy, jde o elektrickou intenzitu sečtenou podél křivky mezi těmito body U = ∫E·dl. Napětí označujeme U, jednotkou je volt (V).
Magnetický indukční tok – tok magnetické indukce přesčítaný přes určitou plochu, Φ = ∫∫B·dS. Magnetický indukční tok značíme Φ, jednotou je weber (Wb = T·m2).
|
Léta sedmdesátá – předpověď existence memristoru
V roce 1971 se Leon Chua, profesor
Kalifornské univerzity v BerkeleyUCB – University of California at Berkeley. Požadavky na vznik Kalifornské univerzity pocházejí již z roku 1849, vlastní univerzita byla založena v roce 1866, nejznámější část (UCLA) sídlí v Los Angeles. Berkeleyská část vznikla v roce 1873.,
zabýval symetriemi ve vztazích popisujících tři tehdy známé pasivní součástky –
rezistor, kondenzátor a cívku. Mezi základní veličiny v elektrickém obvodu
patří napětí, proud, náboj a
magnetický tok. Z nich lze sestavit šest dvojic, mezi kterými existují jednoduché matematické vztahy.
Dvě dvojice jsou provázány přes časovou derivaci:
I = dQ/dt ,
U = – dΦ/dt.
První vztah je definičním vztahem pro elektrický proud (náboj
proteklý za jednotku času), druhý vztah představuje Faradayův indukční
zákon (generované napětí je úměrné časové změně magnetického indukčního
toku). Znaménko minus u druhého vztahu vyjadřuje skutečnost, že vzniklé
napětí působí proti změně, která ho vyvolala. Zbývají ještě čtyři
dvojice sestavené ze základních obvodových veličin: (U,I),
(I,Φ ), (Φ,Q), (Q,U).
Pro tři dosud známé součástky platí mezi veličinami ve zbývajících
dvojicích lineární vztahy. Leon Chua doplnil tyto vztahy lineární
závislostí pro poslední dvojici a zavedl tak hypotetickou součástku –
memristor:

Jednotlivé dvojice obvodových veličin jsou propojeny jednoduchými
vztahy. Zdroj: Nature.
| součástka |
vztah |
vlastnost |
impedanceUCB – University of California at Berkeley. Požadavky na vznik Kalifornské univerzity pocházejí již z roku 1849, vlastní univerzita byla založena v roce 1866, nejznámější část (UCLA) sídlí v Los Angeles. Berkeleyská část vznikla v roce 1873.
(U = XI) |
rezistor
(odpor) |
dU = R dI |
R
odpor |
XR
reaktance |
kapacitor
(kondenzátor) |
dQ = C dU |
C
kapacita |
XC
kapacitance |
induktor
(cívka) |
dΦ = L dI |
L
indukčnost |
XL
induktance |
memristor
(paměťový odpor) |
dΦ = M dQ |
M
memodpor |
XM
memrezistance |
Koeficienty úměrnosti představují charakteristickou vlastnost dané
součástky (R je odpor, L indukčnost, C kapacita a
M memodpor). U nelineárních součástek je jejich charakteristická
vlastnost funkcí příslušné nezávislé proměnné, tj. R = R(I),
C = C(U), L = L(I) a M = M(Q). Memristor nelze žádným způsobem složit z
ostatních tří pasivních součástek, jeho vlastnostem se ale lze do jisté
míry přiblížit obvodem s aktivními součástkami. Základní vlastností
memristoru je, že si „pamatuje“ množství proteklého náboje a podle toho
se mění jeho odpor.
Objev memristoru, jeho princip a vlastnosti
Memristor byl objeven při výzkumu nanostruktur v roce 2008
v laboratořích Hewlett Packard (v kalifornském Palo Alto)
v týmu vedeném inženýrem Stanleyem Williamsem. Již delší dobu byla na některých
nanostrukturách pozorována anomální hystereze ve voltampérové charakteristice
(proměnný odpor, jehož hodnota závisí na minulosti nanostruktury), nikdo
však nedokázal takové chování spolehlivě vysvětlit. Williamsův tým
nejprve navrhl analytický model na atomární úrovni. Šlo o polovodičovou
vrstvu složenou ze dvou oblastí – dotované s nízkým odporem a nedotované
s velmi vysokým odporem (odpor polovodiče silně závisí na množství atomů
vhodných příměsí). Poté tým vyrobil první obvod ze 17 sériově propojených memristorů.

Jednoduchý model memristoru. Memristor se chová jako součástka s výsledným odporem R
daným sériovým zapojením dotované a nedotované oblasti s odpory R1a R2. Hodnoty jednotlivých odporů a tím i celkového
odporu závisí na poloze w rozhraní obou oblastí v polovodiči. Při protékání proudu dochází
k přemisťování náboje (včetně děr a tím i dotované příměsi). Poloha
rozhraní se tak mění v závislosti na proteklém náboji. Začne-li téct
proud opačným směrem, rozhraní mezi oblastmi se bude pohybovat na druhou
stranu. Teoreticky tak součástka může měnit polohu rozhraní w od
nuly do celé šířky vrstvy a tím odpor od nekonečna do nuly, prakticky od
megaohmů po miliohmy. Po odpojení proudu si součástka ponechá aktuální
odpor. Svou funkcí je tato součástka podobná
reostatuReostat – regulovatelný rezistor, v minulosti byl většinou realizován odporovým drátem navinutým na izolačním tělese s posuvným jezdcem. Dnes se k regulaci výkonu spotřebičů využívají jiné, zejména polovodičové součástky.
nebo potenciometru, jezdcem (rozhraním) však nikdo nehýbe, nastavuje se
automaticky podle množství proteklého náboje. Zdroj: Hewlett Packard.

Voltampérová charakteristika memristoru, odezva na přivedené střídavé
napětí. Na horním grafu je časový průběh napětí (modře) a proudu
(zeleně). Hodnoty jsou vztaženy k maximálním zjištěným hodnotám. Na
prostředním diagramu je časová závislost šířky rozhraní w
(vztažené k celkové šířce polovodiče). Na spodním obrázku je VA
charakteristika (závislost proudu na napětí, která jeví typickou
hysterezi. Odezva na jiný než sinusový signál je samozřejmě složitější.
Zdroj: Hewlett Packard.

Skutečná součástka vyrobená v laboratořích Hewlett
Packard. Jde o obvod ze 17 memristorů – pásků z polovodiče TiO2
o tloušťce 50 nm (pouhých 150 atomů). Každý pásek má podélné rozhraní
mezi vodivou a nevodivou oblastí. Pásky jsou propojené platinovým
drátkem. Snímek byl pořízen
mikroskopem atomárních silAFM – Atomic Force Microscope, mikroskop atomárních sil. Zařízení skenuje povrch materiálu pomocí hrotu zavěšeného na pružném výkyvném raménku. Hrot je přitahován elektrostatickými a van der Waalsovými silami. Výkyvy raménka nad povrchem jsou sledovány laserem. Mikroskop je tak citlivý, že může sledovat elektronové orbitaly molekul materiálu. AFM mikroskop byl vynalezen v roce 1986 G. Binnigem, C. Quatem a C. Gerberem..
Zdroj: Hewlett Packard. |
Využití memristorů
Nové typy pamětí
Memristorová paměť může zaznamenávat více stavů než 0 a 1 v současných pamětech. Záznam je trvalý (aktuální hodnotu odporu
memristoru je možné kdykoli přečíst) a nepotřebuje trvalé připojení
napětí. Počet zápisových cyklů je neomezený, zjištění zaznamenané
hodnoty velmi rychlé. V budoucnu by to mohlo znamenat spojení pomalé
paměti disku (nepotřebuje k uchování zápisu napětí) a rychlé operační
paměti (potřebuje k uchování zápisu napětí) do jediného celku.
Elektronika
Možnost řízeného záznamu odporu součástky může mít aplikace při
realizaci rychlých signálových přepínačů, v měřicích přístrojích pro
snadné nastavení rozsahu a nulové hodnoty, pro automatické ovládání
senzorů na základě sledovaného signálu, atd. Memristory mohou najít
využití při převodu analogového a digitálního signálu, při další
miniaturizaci logických obvodů i v mnoha dalších aplikacích.
Biologické systémy a analogový počítač
SynapseSynapse – spojení dvou neuronů (nebo smyslové buňky a neuronu), sloužící k předávání vzruchů.
neuronů se chovají obdobně jako memristor. Jejich odpor má nastavitelnou
hodnotu, která po průběhu vzruchu zůstává na aktuální hodnotě. Objev
memristoru tak může znamenat zásadní průlom ve výzkumu činnosti lidského
mozku. Spojitě měnitelný odpor může nabývat nekonečně mnoha stavů (na
rozdíl od 0 a 1 v dnešních digitálních počítačích). Analogový počítač
založený na velkém množství obvodů s memristory by se stal funkčním
elektronickým modelem mozku. Umělá inteligence již nemusí být pouhým snem.
V druhé polovině roku 2008 provedli zajímavý výzkum Yuriy V. Pershin, Steven La
Fontaine a Massimiliano Di Ventra z Kalifornské univerzity v San Diegu.
Sledovali améby a jejich reakce na opakované ponoření do prostředí s nevhodnou teplotou a vlhkostí. Améby na takový podnět reagují změnou své
rychlosti a svým způsobem se „učí“. Pokud byla opakovaně améba ponořena (se
stejnými časovými rozestupy) do nevhodného prostředí, začala její rychlost
vykazovat tlumené oscilace, améba jako by očekávala další ponoření. I po
dosti dlouhé době poté stačilo amébu ponořit do nevhodného prostředí již jen
jednou a její rychlost začala oscilovat stejným způsobem – améba očekávala,
že budou následovat další ponoření jako v předchozím případě. Na tom asi
není nic divného. Améba je sice primitivní, ale přesto živý organizmus a to,
že se učí nikoho nepřekvapí. Nicméně stejné chování vykazuje RLCM obvod dle
následujícího schématu. Ponoření améby do nevhodného prostředí koresponduje
s napěťovým pulzem a odezvou je namísto rychlosti améby měřené napětí.
Naměřené signály se pro amébu i jednoduchý obvod nápadně podobaly; parametry
obvodu byly voleny tak, aby frekvence LC obvodu odpovídala době mezi
ponořeními a odpor R útlumu. Nepochybně je o první praktický
krok při simulaci funkce paměti živého organizmu elektronickou součástkou.
Blížíme se tak skutečně pochopení funkce lidské paměti a inteligentního
života?

Klip týdne: Memristor

Memristor. V roce 2008 byl v laboratořích Hewlett Packard
nalezen dlouho očekávaný čtvrtý pasivní prvek elektrických obvodů –
memristor. Jde o součástku s dvěma vývody, která má proměnný odpor a „pamatuje“ si
poslední hodnotu odporu. Je tvořena dvěma oblastmi polovodiče, dotovanou
s nízkým odporem a nedotovanou s vysokým odporem. Hranice mezi oběma
oblastmi závisí na protékaném proudu (jím se přesouvají náboje). Na
poloze této hranice závisí výsledný odpor součástky. Součástka jeví
hysterezi na voltampérové charakteristice. Předpokládá se, že ji bude
možné využít ve výpočetní technice jako nový typ analogové paměti.
Vzhledem k tomu, že obdobnou charakteristiku má synapse neuronů, bylo by
možné na základě memristorů simulovat paměťové procesy v lidském mozku.
Memristor by tak mohl představovat velký posun ve výzkumu umělé
inteligence. Prototyp připravený v laboratořích Hewlett Packard byl tvořen
17 nanoproužky (každý proužek je složen z dotované a nedotované nanovrstvy).
Nanoproužky byly pospojovány platinovým drátkem. (avi/divx, 8 MB)
Odkazy
|
L. Chua: Memristor – The Missing Circuit Element; IEEE Transactions
on Circuit Theory, Sept. 1971.
G. F. Oster, D. M. Auslander:
The Memristor: A New Bond Graph Element; Transactions of the ASME (1972)
1–4.
J. M. Tour, T. He: The fourth
element; Nature 453 (2008) 42–43.
B. Dmitri et al.: The
missing memristor found; Nature Letters 453 (2008) 80–83.
Y. V. Pershin, S. La
Fontaine, M. Di Ventra: Memristive model of amoeba’s learning;
E-print arXiv:0810.4179 22 Oct 2008.
J. Cartwright: Dawn of the memristor; Physics World, Apr 30, 2008.
E.
Cartlidge: Memristors model primitive learning; Physics World, Oct
31, 2008.
A. Vojáček: Memristor – součástka, která možná vrátí věk analogových
počítačů, hw.cz, 14. 5. 2008.
Wikipedia:
Memristor.
O. Beran:
Memristor – další etapa vývoje počítačů?, Osel, 9. 5. 2008. |
Fórum – diskuze k tomuto
bulletinu

|
|